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Telegram美国群_三星量产3nm芯片,下游的客户心动不已,这些厂商们却坐不住了

admin2022-07-0927

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终于,在2022年上半年的最后一天,三星宣布3nm芯片量产,成为全球第一家量产3nm芯片的厂商,实现了三星的第一个小目标--领先台积电,兑现了自己的承诺。


同时三星也表示,3nm芯片相比于自己的5nm芯片,性能提升了23%,功耗降低了45%,芯片面积缩小了16%。



据称,这次的3nm芯片使用GAA晶体管技术,理论上甚至要比台积电的3nm工艺还要强。


下游的客户心动不已


不得不说,这些数值也表现非常棒,特别是功耗降低45%,让下游的客户心动不已。毕竟当芯片进入到5nm之后,功耗大增,已经让厂商们头痛不已了。


特别是高通,自从芯片进入5nm之后,由于功耗太大,发热量也上升,于是骁龙888、骁龙8Gen1都获得了“火龙称号”。


如果3nm能够降低45%功耗,想必高通是最兴奋的厂商之一,因为“驯龙”有戏,“火龙”有救了啊。


那么问题来了,为何三星的3nm工艺,能降低45%的功耗?原因在于三星采用了GAAFET晶体管技术,而之前从14-4nm,采用的是FinFET晶体管技术。


对于一颗芯片而言,功耗分为两个部分,一个部分是动态功耗,一部分是静态功耗(又称漏电功耗)。


动态功耗是指芯片进行计算时,本身的功耗。而静态功耗,则是芯片加上电之后,电流通过晶体管时,泄露的功耗。



别小看静态功耗,静态功耗才是大头,占一颗芯片总功耗的60%以上,晶圆厂一直就在与静态功耗(漏电功耗)对作,比如英特尔,一直就在讲自己的漏电功功降低了。台积电之前有个“台漏电”的称号,也是讲这一块控制得不佳。


而使用GAAFET晶体管技术时,由于技术更先进,相比于FinFET技术,加到晶体管上的电压(阈值电压)变小了。大家回忆下初中物理知识,功率=电流X电压。


当电压变小时,是不是功耗就变小了?由于GAAFET相比FinFET的阈值电压要低30-50%,所以静态功耗理论上也就变小30-50%。


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再加上3nm工艺更精细,在动态功耗上也会有降低,以及GAAFET晶体管技术,本身漏电情况也会稍好一点,所以最终实现了45%的功耗降低。


而三星还表示第二代 3 纳米 GAA 制造工艺也正在研发中第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%,性能提高 30%,面积减少 35%。


可以说,三星的3nm工艺,比依然采用FinFET工艺的台积电3nm,真的是更有优势的。


国产手机厂商们的日子要不好过了?


得知这个消息后,首先是为国产手机厂商们捏了一把汗。以往的手机soc芯片代工领域,基本就是三星和台积电二分天下,正是因为它们存在竞争、相互制衡,手机厂商们才有“甜头”可尝。一旦这种微妙的平衡被打破,三星一家独大总揽话语权,国产手机厂商们就会受制于人,危机四伏,这显然不利于国产手机的发展壮大。


在翻阅了一些过往资料后,我发现事情仍有转机。即便三星具备量产3nm芯片的能力,且架构比台积电更强,但根据以往三星的的低良品率,以及“薛定谔的工艺水平”,未必真的能与台积电抗衡。也就是说,全球芯片代工领域的动态平衡依然存在,国产手机仍有“闪转腾挪”的余地。



另外,国产手机也不比以前,像华为、小米等量级巨大的的国产手机品牌,已经具备和国际巨头议价能力,即便三星一家独大,也不敢慢怠如此重要的客户。这再次印证一个道理:只要自身的实力足够强大,保持旺盛的斗志,就不怕任何动荡与变化。


这两年的小米,其实就是最好的例子。小米这几年间迅速在全球市场崛起,在北美、欧洲、东南亚等多个市场都混得风生水起,去年在全球22个地区出货量排名第一。去年第二季度的时候,甚至超越了苹果,拿下全球市场份额第二的宝座,实力可见一斑。


于是我们可以看到一个奇异的景象,那些昔日高冷的各行业巨头们,纷纷找上门来寻求合作。最近几天,由小米和徕卡联合调校影像的小米12S Ultra,预热得如火如荼。在相关采访中,雷军称是徕卡找上的小米。没错,即便徕卡是传统相机行业无可争议的龙头,但在“人生地不熟”的移动影像领域,徕卡必须找到一个实力雄厚的合作伙伴。


尾声


在官方的曝料中,连索尼也和小米开展了跨界合作。双方各出资一半,花费1500W美元共同打造了一英寸 超大底的IMX989。这是目前机圈内最大底的传感器,尺寸已经和专业相机索尼黑卡相媲美,再加上徕卡的调校技术,成像水平估计会达到前所未有的高度。


三星成为全球首家真量产3nm工艺芯片厂一事,各位小伙伴们,你们都有什么样的看法和意见呢?欢迎在评论区中留言讨论,期待你们的精彩评论!


来源:数码王校长,互联网乱侃秀,大爆 炸科技




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